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厦门中芯晶研半导体有限公司

福建厦门

外延级 N型与半绝缘型 4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片

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常规与定制结构碳化硅（SiC）外延片用于功率器件

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MOCVD/HVPE生长宽禁带半导体氮化镓（GaN）薄膜片

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高效能高稳定性 SiC 外延片，适用于高频、高温环境，推动绿色能源发展

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锑化镓（GaSb）单晶III-V族化合物半导体生产可供衬底与外延片

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半导体材料生产商供应红外、光学、外延级单晶锗

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高导热 SiC 单晶衬底切割服务支持4/6/8英寸晶片

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N型、P型、半绝缘型 4H-SiC单晶切割、抛光、超薄衬底片，可定制

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砷化镓（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件应用

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半导体厂商供应III-V化合物砷化铟（InAs）单晶片&外延片

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5G基站专用材料：半绝缘4H-SiC单晶 —— 射频器件衬底

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超薄SiC外延片厚度5μm±0.5μm 高精度控制高频功率、低损耗材料

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外延生长砷化镓（GaAs）薄膜用于微波射频器件

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直径150mm、200mm 导电型单晶4H碳化硅（4H-SiC）

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MOCVD/HVPE生长硅/碳化硅/蓝宝石基氮化镓（GaN）薄膜片

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锑化物半导体材料供应锑化铟（InSb）衬底与外延

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III-V化合物半导体锑化铟（InSb）衬底晶片，N、P型

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N型/P型砷化铟InAs单晶片半导体衬底单面或双面抛光红外器件专用

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低应力低氧含量 SiC抛光单晶片车规级MOSFET芯片制造

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定制化碳化硅（SiC）外延服务支持多层结构设计

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SiC外延代工服务：支持4/6英寸晶圆、科研机构/企业定制

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中芯晶研供应外延级化合物半导体砷化镓（GaAs）单晶片

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III-V族直接带隙半导体：导电型与半绝缘型氮化镓（GaN）衬底

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碳化硅（SiC）外延片用于SBD， MOSFET， MESFET等器件制备，可定制

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高均匀性、低缺陷密度 SiC外延片功率器件制造核心材料

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（100）、(111)晶向 N、P导电型单双抛锗（Ge）单晶片

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供应宽禁带半导体：低缺陷密度碳化硅晶锭、晶片

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蓝宝石/硅/碳化硅基氮化镓（GaN）外延片：LED，LD，HEMT应用

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N型、P型、半绝缘型砷化镓（GaAs）半导体衬底晶片

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三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光

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